Livros de Ciência e Tecnologia
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino
Downloads: 27 Páginas: 137
Publicado há: 4 añosQualificação: Calificado: 0 veces Vote
- 1 estrella
- 2 estrellas
- 3 estrellas
- 4 estrellas
- 5 estrellas
Autor: Luciano Mendes Almeida
Publicidad
Descrição
Escola Politécnica / Microeletrônica Universidade de São Paulo "Neste trabalho foi analisado o comportamento de um transistor UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) FD SOI MOSFET (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar do tipo n, operando como uma célula de memória 1T-FBRAM (single transistor floating body random access memory). [...] No estudo da polarização de dreno durante a operação de leitura, observou-se que quando aplicado alta tensão de dreno é obtido alta margem de sensibilidade, porém ao mesmo tempo esta polarização prejudica o dado 0 devido ao alto nível de geração de lacunas induzidas pela ionização por impacto, o qual diminui o tempo de retenção e destrói o dado 0 quando operações de múltiplas leituras são realizadas. Já para baixo nível de tensão de dreno durante a leitura notou-se que é possível realizar múltiplas operações de leitura sem perder o dado armazenado e também maior tempo de retenção foi obtido." Free download livros de Microeletrônica sem limite em todos os formatos formato pdf mobipocket txt ePub format
