Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino

Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino
Escola Politécnica / Microeletrônica Universidade de São Paulo "Neste trabalho foi analisado o comportamento de um transistor UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) FD SOI MOSFET (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar do tipo n, operando como uma célula de memória 1T-FBRAM (single transistor floating body random access memory). [...] No estudo da polarização de dreno durante a operação de leitura, observou-se que quando aplicado...
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